半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

丁国庆

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半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

- 半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析
- The Measurements and Analysis of the x Ray Double Crystal Diffraction on Semiconductor Hetero structure Materials
- 光通信研究 1994年第4期
- 作者机构：
  
  武汉电信器件公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304.9
- 纸质出版日期：1994，
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[1]丁国庆.半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析[J].光通信研究,1994(04):39-46.

Ding Guoqing. The Measurements and Analysis of the x Ray Double Crystal Diffraction on Semiconductor Hetero structure Materials[J]. 1994,(4).
[1]丁国庆.半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析[J].光通信研究,1994(04):39-46. DOI：

Ding Guoqing. The Measurements and Analysis of the x Ray Double Crystal Diffraction on Semiconductor Hetero structure Materials[J]. 1994,(4). DOI：

摘要

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。

Abstract

The measurement principle of the x ray double crystal diffraction is introduced in this paper. The positive and negative mismatch from the semiconductor thin layers with the heterostructures

the minibends of crystal chips

the symmetry on the rocking curves

the resolution of the complex curves

and interference fringes are discussed and analyzed.We show that it is important of the measuring results of x ray double crystal diffraction for MOCVD

LPE technology improvements.

关键词

半导体异质结构材料X射线晶体衍射测试

Keywords

semiductor heterostructure materialx ray doublecrystal diffraction

references

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