可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用

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- 可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用
- Study on Optical communication Issue 2, Pages: 41-52(1975)
- 作者机构：
  
  第一研究室电子电路组
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1975.02.004
  CLC：
- Published：1975，
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[1].可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J].邮电研究,1975(02):41-52.

可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用. [J]. (2):41-52(1975)
[1].可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J].邮电研究,1975(02):41-52. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1975.02.004.

可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用. [J]. (2):41-52(1975) DOI： 10.13756/j.gtxyj.1975.02.004.

<正> 反射式速调管要求供给较高的电压和较大的电流。大功率分布作用腔式速调管则要求供给更高的电压和更大的电流。其腔体电压和收集极电压要求在2500伏以上

腔体电流和收集极电流总计将超过100毫安。现有的设备（如:WY—21通用速调管电源、WS—1等）均不能满足要求。为此

采用可控硅逆变器设计试制了较大容量的高压电源(见封

腔体电流和收集极电流总计将超过100毫安。现有的设备（如:WY—21通用速调管电源、WS—1等）均不能满足要求。为此

采用可控硅逆变器设计试制了较大容量的高压电源(见封

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