Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述

doi:10.13756/j.gtxyj.1982.01.005

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Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述

- Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述
- Study on Optical communication Issue 1, Pages: 39-50(1982)
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- DOI：10.13756/j.gtxyj.1982.01.005
  CLC：
- Published：1982，
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[1]胡永林.Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J].光通信研究,1982(01):39-50.

Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述. [J]. (1):39-50(1982)
[1]胡永林.Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J].光通信研究,1982(01):39-50. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1982.01.005.

Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述. [J]. (1):39-50(1982) DOI： 10.13756/j.gtxyj.1982.01.005.

摘要

IaGaAs和InGaAsP异质结雪崩光电二极管的性能受到隧道效应、微等离子体和杂质等的严重影响。采用光吸收区电倍增区分离的结构。以宽能隙的InP为电倍增区

窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区

P型扩散杂质低于临界值N

以及雪崩区的适当厚度

就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底

生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀

选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000

暗电流为2pA（0.5V

）、离化系数比为0.3～0.5左右的APA就是SAM（吸收区倍增区分离）扩镉的平面保护环结构。

Abstract

窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区

P型扩散杂质低于临界值N

以及雪崩区的适当厚度

就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底

生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀

选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000

暗电流为2pA（0.5V

）、离化系数比为0.3～0.5左右的APA就是SAM（吸收区倍增区分离）扩镉的平面保护环结构。

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