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Published:1982,
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[1]潘中浩,,,,,,,,,,杨桂生,,,,,,,,,,赵嵩山,,,,,,,,,,陈铭干,,,,,,,,,,付已生,,,,,,,,,,郑云生.长波长(1.2~1.55μm)双异质结半导体激光器的研制小结[J].光通信研究,1982(02):5-13.
长波长(1.2~1.55μm)双异质结半导体激光器的研制小结. [J]. (2):5-13(1982)
[1]潘中浩,,,,,,,,,,杨桂生,,,,,,,,,,赵嵩山,,,,,,,,,,陈铭干,,,,,,,,,,付已生,,,,,,,,,,郑云生.长波长(1.2~1.55μm)双异质结半导体激光器的研制小结[J].光通信研究,1982(02):5-13. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.02.002.
长波长(1.2~1.55μm)双异质结半导体激光器的研制小结. [J]. (2):5-13(1982) DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.02.002.
本文概述了InGaAsP/InP系半导体激光器的结构、制造方法与光电特性。用过冷法制造外延片
用深锌扩散制造窄条结构可以重复做出长距离、大容量光纤通信系统所用的1.2~1.55μm的半导体激光器。
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