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Published:1984,
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[1]丁国庆,,,,,,,,,,崔光杰.GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化[J].光通信研究,1984(04):50-56.
GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化. [J]. (4):50-56(1984)
[1]丁国庆,,,,,,,,,,崔光杰.GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化[J].光通信研究,1984(04):50-56. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1984.04.006.
GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化. [J]. (4):50-56(1984) DOI: 10.13756/j.gtxyj.1984.04.006.
本文讨论了GaAlAs-GaAs、InGaAs-InP光电器件中反向漏电大
性能不稳定的各种因素。为使器件反向电流减少和稳定可靠
必须采用表面钝化措施。比较了无机钝化和有机钝化的优缺点
指出用聚酰亚胺作为多种半导体器件表面钝化膜的优点和实用价值。
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