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Published:1986,
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[1]李平,姜涌,罗风光,王素琴,赵先明.长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管[J].光通信研究,1986(02):1-5.
长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管. [J]. (2):1-5(1986)
[1]李平,姜涌,罗风光,王素琴,赵先明.长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管[J].光通信研究,1986(02):1-5. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.02.001.
长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管. [J]. (2):1-5(1986) DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.02.001.
采用液相外延法和台面工艺制作了具有中间带隙“梯度层”的倍增区与吸收区分离的长波长InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管(简称SAGM-APD)已经获得初步成功。量子效率67%;0.9V
B
时的暗电流
<
100nA;过剩噪声因子F=5;最大倍增因子M=25;上升和下降时间各为300ps。结果表明
这种新型材料制作的雪崩光电二极管在性能上优于Ge-APD。
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