近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制

doi:10.13756/j.gtxyj.1986.03.003

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近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制

- 近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制
- Study on Optical communication Issue 3, Pages: 16-23(1986)
- 作者机构：
  
  1. 武汉邮电科学研究院
  2. 北京师范大学低能物理所
  3. 武汉邮电科学研究院北京师范大学低能物理所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1986.03.003
  CLC：
- Published：1986，
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[1]丁国庆,阚希文.近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制[J].光通信研究,1986(03):16-23+15.

近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制. [J]. (3):16-23(1986)
[1]丁国庆,阚希文.近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制[J].光通信研究,1986(03):16-23+15. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1986.03.003.

近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制. [J]. (3):16-23(1986) DOI： 10.13756/j.gtxyj.1986.03.003.

摘要

本文报告了采用全离子注入技术制作的p

n平面型Ge-APD

保护环注Be

p+层注In

（或B

）形成。则量结果表明

击穿电压V

大致在37-45伏范围

光敏面直径为φ90μm

在0.9V

下

带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA

典型值为0.2-0.5μA

光倍增M

在12-17

=10时

过剩噪声因子F

光响应度大于0.5A/W。

Abstract

本文报告了采用全离子注入技术制作的p

n平面型Ge-APD

保护环注Be

p+层注In

（或B

）形成。则量结果表明

击穿电压V

大致在37-45伏范围

光敏面直径为φ90μm

在0.9V

下

带尾纤的探测器暗电流可小至0.15μA

典型值为0.2-0.5μA

光倍增M

在12-17

=10时

过剩噪声因子F

光响应度大于0.5A/W。

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近红外全离子注入平面型锗雪崩光电探测器的研制

DOI：10.13756/j.gtxyj.1986.03.003

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