超晶格雪崩光电二极管

doi:10.13756/j.gtxyj.1993.03.023

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超晶格雪崩光电二极管

- 超晶格雪崩光电二极管
- Study on Optical communication Issue 3, Pages: 64(1993)
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- DOI：10.13756/j.gtxyj.1993.03.023
  CLC：
- Published：1993，
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[1]冯佩珍.超晶格雪崩光电二极管[J].光通信研究,1993(03):64.

超晶格雪崩光电二极管. [J]. (3):64(1993)
[1]冯佩珍.超晶格雪崩光电二极管[J].光通信研究,1993(03):64. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1993.03.023.

超晶格雪崩光电二极管. [J]. (3):64(1993) DOI： 10.13756/j.gtxyj.1993.03.023.

摘要

正

日本电气开发出以InAIGaAs为阱层

InAIAs为限制层的超晶格雪崩光电二极管（APD）

实现了高速、低暗电流特性。器件的特性如下:最大频带16GHz

增益带宽积120GHz

击穿电压约20V

即使增益率达20倍

暗电流也可实现亚微米级。对于波长1.55μm的10Gbit/s信号光作了接收灵敏度的评价

证实对于NRZ信号BER=10

9时

接收灵敏度为8—27.6dBm。此值与现在实际使用

Abstract

正

日本电气开发出以InAIGaAs为阱层

InAIAs为限制层的超晶格雪崩光电二极管（APD）

实现了高速、低暗电流特性。器件的特性如下:最大频带16GHz

增益带宽积120GHz

击穿电压约20V

即使增益率达20倍

暗电流也可实现亚微米级。对于波长1.55μm的10Gbit/s信号光作了接收灵敏度的评价

证实对于NRZ信号BER=10

9时

接收灵敏度为8—27.6dBm。此值与现在实际使用

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