可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

- 可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用
- 可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用
- 光通信研究 1975年第2期页码：41-52
- 作者机构：
  
  第一研究室电子电路组
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1975.02.004
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1975，
扫描看全文
[1].可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J].邮电研究,1975(02):41-52.

可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J]. 1975,(2):41-52.
[1].可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J].邮电研究,1975(02):41-52. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1975.02.004.

可控硅单相并联逆变器在速调管高压电源上的应用[J]. 1975,(2):41-52. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1975.02.004.

<正> 反射式速调管要求供给较高的电压和较大的电流。大功率分布作用腔式速调管则要求供给更高的电压和更大的电流。其腔体电压和收集极电压要求在2500伏以上

腔体电流和收集极电流总计将超过100毫安。现有的设备（如:WY—21通用速调管电源、WS—1等）均不能满足要求。为此

采用可控硅逆变器设计试制了较大容量的高压电源(见封

腔体电流和收集极电流总计将超过100毫安。现有的设备（如:WY—21通用速调管电源、WS—1等）均不能满足要求。为此

采用可控硅逆变器设计试制了较大容量的高压电源(见封

更多指标>

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据