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纸质出版日期:1981,
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[1]解金山.关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析[J].光通信研究,1981(02):40-51.
关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析[J]. 1981,(2):40-51.
[1]解金山.关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析[J].光通信研究,1981(02):40-51. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.02.005.
关于Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触问题的分析[J]. 1981,(2):40-51. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.02.005.
本文对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器的欧姆接触提出了研究方向
综述了主要材料GaAs和Inp的欧姆接触的各个方面。同时对最佳合金条件进行了理论分析。
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