浏览全部资源
扫码关注微信
纸质出版日期:1982,
扫 描 看 全 文
[1]胡永林.Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J].光通信研究,1982(01):39-50.
Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J]. 1982,(1):39-50.
[1]胡永林.Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J].光通信研究,1982(01):39-50. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.005.
Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述[J]. 1982,(1):39-50. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.005.
IaGaAs和InGaAsP异质结雪崩光电二极管的性能受到隧道效应、微等离子体和杂质等的严重影响。采用光吸收区电倍增区分离的结构。以宽能隙的InP为电倍增区
窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区
P型扩散杂质低于临界值N
D
+
以及雪崩区的适当厚度
就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底
生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀
选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000
暗电流为2pA(0.5V
B
)、离化系数比为0.3~0.5左右的APA就是SAM(吸收区倍增区分离)扩镉的平面保护环结构。
0
浏览量
216
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构