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GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化
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    • GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化

    • GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化

    • 光通信研究   1984年第4期 页码：50-56

    • DOI：10.13756/j.gtxyj.1984.04.006    

      中图分类号：

    • 纸质出版日期：1984，

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  • [1]丁国庆,,,,,,,,,,崔光杰.GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化[J].光通信研究,1984(04):50-56. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1984.04.006.

    GaAlAs—GaAs、InGaAs—InP光电器件的表面特性与有机钝化[J]. 1984,(4):50-56. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1984.04.006.

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