1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

赵嵩山; 王德超; 吴友宇; 李洵

doi:10.13756/j.gtxyj.1985.02.005

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1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器

- 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
- 1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
- 光通信研究 1985年第2期页码：15-21
- 作者机构：
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- DOI：10.13756/j.gtxyj.1985.02.005
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1985，
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[1]赵嵩山,王德超,吴友宇,李洵.1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器[J].光通信研究,1985(02):15-21.

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器[J]. 1985,(2):15-21.
[1]赵嵩山,王德超,吴友宇,李洵.1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器[J].光通信研究,1985(02):15-21. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1985.02.005.

1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器[J]. 1985,(2):15-21. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1985.02.005.

摘要

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器（DC-PBH LD）。器件正向泄漏电流小于1μA/5V

阈值电流20mA

20℃时的光功率线性输出大于10mW

最大功率输出大于20mW

50℃光功率线性输出10mW

70℃连续工作

光功率输出大于1.3mW

外微分量子效率50％

比接触电阻3.6-4.8×10

-5

Ωcm

光谱为极好的单纵模

远场辐射θ

～15°

～15°-30°

耦合效率高达90％。

Abstract

本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器（DC-PBH LD）。器件正向泄漏电流小于1μA/5V

阈值电流20mA

20℃时的光功率线性输出大于10mW

最大功率输出大于20mW

50℃光功率线性输出10mW

70℃连续工作

光功率输出大于1.3mW

外微分量子效率50％

比接触电阻3.6-4.8×10

-5

Ωcm

光谱为极好的单纵模

远场辐射θ

～15°

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