浏览全部资源
扫码关注微信
1. 北京大学
2. 武汉邮电科学研究院
3. 北京大学武汉邮电科学研究院
纸质出版日期:1985,
扫 描 看 全 文
[1]郭长志,解金山,沈峰.非线性增益对半导体激光器单纵模行为的影响[J].光通信研究,1985(03):5-16+4.
非线性增益对半导体激光器单纵模行为的影响[J]. 1985,(3):5-16.
[1]郭长志,解金山,沈峰.非线性增益对半导体激光器单纵模行为的影响[J].光通信研究,1985(03):5-16+4. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1985.03.002.
非线性增益对半导体激光器单纵模行为的影响[J]. 1985,(3):5-16. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1985.03.002.
本文从多纵模多横模速率方程出发
研究了增益的非线性对半导体激光器单纵模行为的影响
并与线性增益的计算和实验进行了比较。结果表明:第三级非线性增益对非激射模式进一步的抑制作用总是更加促进了单纵模化的过程
特别是在腔长较长时将得出与线性增益的考虑完全相反的结论。实验也表明腔长较长的确可以得到输出功率更大的单纵模激光器
如再适当地减小条宽
将进而可以得到单模(单频)工作。但这两种增益考虑都得出有源层厚度不宜太薄
端面反射率加大都将有利于单纵模工作的共同结论。
0
浏览量
24
下载量
1
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构