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纸质出版日期:1985,
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[1]马声全.Si—RAPD的噪声与倍增区宽度的关系[J].光通信研究,1985(04):53-58.
Si—RAPD的噪声与倍增区宽度的关系[J]. 1985,(4):53-58.
[1]马声全.Si—RAPD的噪声与倍增区宽度的关系[J].光通信研究,1985(04):53-58. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1985.04.009.
Si—RAPD的噪声与倍增区宽度的关系[J]. 1985,(4):53-58. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1985.04.009.
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正
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一、引言达通型硅雪崩光电二极管(Si—RAPD)是一种快速而灵敏的光电检测器。对于短波长(0.85~0.9μm)光纤通讯系统而言
它被公认为是目前最令人满意的接收器件。由于Si材料具有很大的电子—空穴离化比(α/β≈50)
加上相当成熟的Si平面工艺
从理论上讲确实可以保证Si—RAPD同时兼有很低的暗电流(10
-10
A)、高的倍增(大于100)和低的附加噪声。但是由于结构和工艺上的某些原因
实际器件的性能并非那么理想
尤其在兼顾高倍增和低噪声方面仍有工作可做。
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