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纸质出版日期:1986,
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[1]王皎.InP高压合成炉设计[J].光通信研究,1986(04):50-51+16.
InP高压合成炉设计[J]. 1986,(4):50-51.
[1]王皎.InP高压合成炉设计[J].光通信研究,1986(04):50-51+16. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.006.
InP高压合成炉设计[J]. 1986,(4):50-51. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.006.
<正> InP是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
具有独特的性质
在微波、光电器件、光集成等领域得到广泛应用。为了满足InP单晶的研究和生产的需要
我们参考国内外有关资料和经验
研制了结构简单、操作方便、安全可靠、能满足工艺要求的InP多晶高压合成炉。
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