半导体激光器可靠性评论

解金山

doi:10.13756/j.gtxyj.1987.04.005

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半导体激光器可靠性评论

- 半导体激光器可靠性评论
- Review on Reliability of Semiconductor Lasers
- 光通信研究 1987年第4期页码：31-41
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- DOI：10.13756/j.gtxyj.1987.04.005
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1987，
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[1]解金山.半导体激光器可靠性评论[J].光通信研究,1987(04):31-41.

Xie Jingshan. Review on Reliability of Semiconductor Lasers[J]. 1987,(4):31-41.
[1]解金山.半导体激光器可靠性评论[J].光通信研究,1987(04):31-41. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1987.04.005.

Xie Jingshan. Review on Reliability of Semiconductor Lasers[J]. 1987,(4):31-41. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1987.04.005.

摘要

本文从以下四个方面详细的综述和评论了半导体激光器的可靠性:影响退化模式的各种因素及寿命的改善;GaAlAs/GaAs激光器与InGaAsP/InP激光器退化模式的主要差别;对当前寿命试验的评论与建议;有关可靠性的进一步研究方向。

Abstract

This paper reviews the reliability of semiconductor lasers from the following four aspects: 1. Factors affecting degradation modes and improvement of dovice lifetime; 2. Basic difference of degradation modes between GaAlAs/GaAs lasers and InGaAsP/InP lasers; 3.Review on and proposal for current lifetime test; 4. Direction for future study of reliability。

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