大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制

丁国庆

doi:10.13756/j.gtxyj.1988.01.005

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大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制

- 大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制
- Large Area Ge Photo-detectors with a P+N Groove-mesa Structure by Single-ion Implantations
- 光通信研究 1988年第1期页码：32-40
- 作者机构：
  
  1. 武汉邮电科学研究院器件所高级工程师
  2. 光探测器室主任
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1988.01.005
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988，
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[1]丁国庆.大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制[J].光通信研究,1988(01):32-40.

Ding Guoqing. Large Area Ge Photo-detectors with a P+N Groove-mesa Structure by Single-ion Implantations[J]. 1988,(1):32-40.
[1]丁国庆.大面积单离子注入沟槽台面型锗光电探测器的研制[J].光通信研究,1988(01):32-40. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1988.01.005.

Ding Guoqing. Large Area Ge Photo-detectors with a P+N Groove-mesa Structure by Single-ion Implantations[J]. 1988,(1):32-40. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1988.01.005.

摘要

采用电阻率ρ=0.35Ω-cm和6Ω-cm的掺Sb的N型Ge单晶作衬底材料

并分别注入B

、Be

形成P

区的方法

制作了两种光敏面为φ1.6mm台面型Ge-PD.光电性能测试表明

在近零偏压应用时

光谱响应与注入离子种类和电阻率无关

而Ⅰ—Ⅴ特性、响应度R

却与材料电阻率、结深和注入离子种类有关。

Abstract

Two large area （φ1.6mm） Ge photo-detectors with a groove-mesa structure have been-fabricated adopting Sb-doped N typegermanium crystal with resistivities of 0.35Ω-cm and 6Ω-cm as the substrate material

using ion-implantations of B

or Be

for forming a p

region. The measured photoelectric characteristics indicate that

the spectral response does not depend on the sort of implanted ions and material resistivity when these Ge-PDs are applied at a bias voltage of nearly zero volt

but I-V characteristics and light response （Re） depend on material resistivity

junction depth and the sort of implanted ions.

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