低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器

冉崇竹; 王德超; 吴振英; 刘自力; 樊承钧; 毛家星; 梁蓉珍; 张霞

doi:10.13756/j.gtxyj.1988.02.006

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器

- 低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器
- 1.3μm DC-PBH LDs Made by Low Temperature LPE
- 光通信研究 1988年第2期页码：46-49
- 作者机构：
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1988.02.006
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1988，
扫描看全文
[1]冉崇竹,,,,,,,,,,王德超,,,,,,,,,,吴振英,,,,,,,,,,刘自力,,,,,,,,,,樊承钧,,,,,,,,,,毛家星,,,,,,,,,,梁蓉珍,,,,,,,,,,张霞.低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器[J].光通信研究,1988(02):46-49.

1.3μm DC-PBH LDs Made by Low Temperature LPE[J]. 1988,(2):46-49.
[1]冉崇竹,,,,,,,,,,王德超,,,,,,,,,,吴振英,,,,,,,,,,刘自力,,,,,,,,,,樊承钧,,,,,,,,,,毛家星,,,,,,,,,,梁蓉珍,,,,,,,,,,张霞.低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器[J].光通信研究,1988(02):46-49. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1988.02.006.

1.3μm DC-PBH LDs Made by Low Temperature LPE[J]. 1988,(2):46-49. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1988.02.006.

摘要

本文报道采用560℃低温二次液相外延及精心光刻腐蚀

使外延片质量提高

器件的光电特性得到改善。最低I

（?）h

=1.7mA

外微分量子效率η=25%（单面）

最高连续激射温度为130℃

最大输出功率超过30mW。并采用PbSn焊料改进制管工艺

提高了器件的可靠性。

Abstract

This paper describes the improvements in quality of LPE wafers and in photo-electric charateristics of devices by adopting low temperature （as low as 560℃） two LPEs and elaborately photoetching

with the lowest threshold current of 17mA

single facet external differential quantum efficiency of 25%

maximum CW lasing temperature of 130℃

maximum output power of more than 30mW. The reliability of devices is enhanced by adopting PbSn welder and improved manufacturing process.

关键词

Keywords

references

更多指标>

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据