InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量

丁国庆

doi:10.13756/j.gtxyj.1989.04.009

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InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量

- InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量
- The Structure Design for InGaAs/InGaAsP/lnP SAGM-APD and the Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics
- 光通信研究 1989年第4期页码：57-64
- 作者机构：
  
  武汉电信器件公司研究开发部高级工程师
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1989.04.009
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1989，
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[1]丁国庆.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量[J].光通信研究,1989(04):57-64.

Din Guoqing. The Structure Design for InGaAs/InGaAsP/lnP SAGM-APD and the Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics[J]. 1989,(4):57-64.
[1]丁国庆.InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量[J].光通信研究,1989(04):57-64. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1989.04.009.

Din Guoqing. The Structure Design for InGaAs/InGaAsP/lnP SAGM-APD and the Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics[J]. 1989,(4):57-64. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1989.04.009.

摘要

本文根据雪崩电场及限制隧道电流要求出发

画出结构参数选择空间。估算和选择了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件结构

测量了光电流-电压的二级阶梯扭折曲线

给出和讨论了与实际测量的M

比较吻合的经验公式。

Abstract

In this paper

we plot the space of device structure parameters

in which InGaAs/InGaAsP/InP avalanche photodiodes with seperated absorption

grading and multiplication region is estimated and choosed according to the requirement of the avalanche field and the field limitting tunnelling current in this device. Two kinks like a step of I

-V curve are measured and explained. The expcrential formula which is in agreement with pratical measurement result of M

is griven and discussed.

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