1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

冉崇竹; 王德超; 吴振英; 王玉章

doi:10.13756/j.gtxyj.1990.01.003

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1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

- 1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器
- Long Lifetime 1.3μm InGaAsP/lnP Lasers
- 光通信研究 1990年第1期页码：21-26
- 作者机构：
- 作者简介：
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- DOI：10.13756/j.gtxyj.1990.01.003
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1990，
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[1]冉崇竹,,,,,,,,,,王德超,,,,,,,,,,吴振英,,,,,,,,,,王玉章.1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器[J].光通信研究,1990(01):21-26.

Ran Chongzhu Wang Dechao Wu Zhenying Wang Yuzhang. Long Lifetime 1.3μm InGaAsP/lnP Lasers[J]. 1990,(1):21-26.
[1]冉崇竹,,,,,,,,,,王德超,,,,,,,,,,吴振英,,,,,,,,,,王玉章.1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器[J].光通信研究,1990(01):21-26. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1990.01.003.

Ran Chongzhu Wang Dechao Wu Zhenying Wang Yuzhang. Long Lifetime 1.3μm InGaAsP/lnP Lasers[J]. 1990,(1):21-26. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1990.01.003.

摘要

本交报道精心外延及光刻腐蚀

使外延片质量提高

器件的光电特性得到改善。最低闽值电流I

=17mA

外微分效率η=25%（单面）

最高连续激射温度为130℃

最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺

提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时。

Abstract

This paper describes the improvements in quality of LPE wafers and in photo-electric cheracteristics of lasers by elaborate LPE and photoetching processes

with the lowest threshold current of 17 mA

single facet external differential quantum efficiency of 25%

maximum CW lasing temperature of 130℃

and the maximum output power of more than 40 mW. The reliability of lasers is enhanced by adopting PbSn welder and the modified manufacturing process. The lifetime of lasers is MTTF 25℃=2.6×10

hours.

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