超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨

廖先炳

doi:10.13756/j.gtxyj.1990.02.005

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超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨

- 超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨
- Study on the Modulation Bandwidth of the Uitrahigh Speed Semiconductor Lasers
- 光通信研究 1990年第2期页码：36-46
- 作者机构：
  
  成都电讯工程学院高级工程师电子工业部44研究所情报室主任
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1990.02.005
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1990，
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[1]廖先炳.超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨[J].光通信研究,1990(02):36-46.

Liao Xianbing. Study on the Modulation Bandwidth of the Uitrahigh Speed Semiconductor Lasers[J]. 1990,(2):36-46.
[1]廖先炳.超高速半导体激光器组件调制带宽的研讨[J].光通信研究,1990(02):36-46. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1990.02.005.

Liao Xianbing. Study on the Modulation Bandwidth of the Uitrahigh Speed Semiconductor Lasers[J]. 1990,(2):36-46. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1990.02.005.

摘要

本文叙述了影响超高速半导体激光器组件调制带宽的各种因素:激光器芯片的驰豫振荡频率;芯片及组件的寄生参量以及激光器匹配驱动电路的频率特性。文中还讨论了超高速半导体激光器组件的最佳设计。最后

讨论了进一步提高组件调制带宽的可能性。

Abstract

In this paper

various factors effecting the modulation bandwidth of ultrahigh speed semiconductor laser modules are described. These factors are the relaxation oscillation frequency of LD chip

the parasitic parameters of LD chip and module

and the driving circuit frequency characteristics of lasers. Optimum design considerations of ultrahigh speed semiconductor LD module are presented. Finally

possibilities of further extending the bandwidth of module are discussed.

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