用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究

刘涛; 李同宁; 金锦炎; 李云樵; 刘自力; 王任凡; 沈坤

doi:10.13756/j.gtxyj.1995.04.004

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用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究

简讯

- 用LP-MOCVD对InGaAs（P）/InP材料的工艺研究
- Process Investigation of InGaAs（P）/InP Materials by LP-MOCVD
- 光通信研究 1995年第4期页码：57-60
- 作者机构：
  
  武汉电信器件公司
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“八六三”计划项目
- DOI：10.13756/j.gtxyj.1995.04.004
  中图分类号： TN304
- 纸质出版日期：1995，
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[1]刘涛,李同宁,金锦炎,李云樵,刘自力,王任凡,沈坤.用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究[J].光通信研究,1995(04):57-60.

Liu Tao Li Tongning Jin Jinyan. Process Investigation of InGaAs（P）/InP Materials by LP-MOCVD[J]. 1995,(4):57-60.
[1]刘涛,李同宁,金锦炎,李云樵,刘自力,王任凡,沈坤.用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究[J].光通信研究,1995(04):57-60. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1995.04.004.

Liu Tao Li Tongning Jin Jinyan. Process Investigation of InGaAs（P）/InP Materials by LP-MOCVD[J]. 1995,(4):57-60. DOI： 10.13756/j.gtxyj.1995.04.004.

摘要

我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs（P）/InP材料的生长研究

用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段

研究生长工艺对材料特性的影响

取得了很好的结果。目前

我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数

利用这些参数生长了1.31μm体材料激光器和量子阱激光器结构

阈值电流密度J

分别为1、1 kA/cm

和1.0 kA/cm

。

Abstract

The LP-MOCVD epitaxial techniques are applied to study the crystal growth of material InGaAs（P）/InP. With the aids of measure methods

such as X-ray diffraction

photoluminescenee spectrum

α-step and C-V characteristics

the influence of growth processes on material characteristics is analyzed and the optimum growth parameters are obtained. In terms of these parameters

bulk material laser and quantum well laser emitting at 1.31 μm are fabricated with threshold current densities （Jth） 1.1kA/cm

and 1.0 kA/cm

respectively. This shows that we have grown high quality InGaAs（P） epitaxial strained layers.

关键词

MOCVD体材料量子阱超晶格

Keywords

MOCVDbulk materialsquantum wellsuper lattices

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