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InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究
    • InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究

    • The Research on the Lattice Relax and Crystal Degeneration of InGaAsP/InP Multilayer Heterostructure Materials

    • 光通信研究   1999年第4期 页码:55-59
    • DOI:10.13756/j.gtxyj.1999.04.015    

      中图分类号: TN248.4
    • 纸质出版日期:1999,

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  • [1]丁国庆.InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究[J].光通信研究,1999(04):55-59. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1999.04.015.

    DING Guo qing. The Research on the Lattice Relax and Crystal Degeneration of InGaAsP/InP Multilayer Heterostructure Materials[J]. 1999,(4):55-59. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1999.04.015.

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