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LiNbO3M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究
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    • LiNbO3M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究

    • Research on the electrode design of LiNbO3 M-Z interference intensity modulator

    • 光通信研究   2000年第2期 页码：55-58

    • DOI：10.13756/j.gtxyj.2000.02.013    

      中图分类号： TN761

    • 纸质出版日期：2000，

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  • [1]裴丽,简水生.LiNbO_3M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究[J].光通信研究,2000(02):55-58. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2000.02.013.

    PEI Li, JIAN Shui sheng. Research on the electrode design of LiNbO3 M-Z interference intensity modulator[J]. 2000,(2):55-58. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2000.02.013.

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