高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器

郑鹏; 王任凡; 岳爱文; 李林; 沈坤

doi:10.13756/j.gtxyj.2001.04.013

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高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器

- 高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器
- High performance, low-threshold high-temperature uncooled 1.3 μm AlGaInAs/InP MQW laser diode
- 光通信研究 2001年第4期页码：48-51
- 作者机构：
  
  1. 华中科技大学光电子工程系!湖北武汉430074
  2. 武汉电信器件公司!湖北武汉430074
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.2001.04.013
  中图分类号： TN248
- 纸质出版日期：2001，
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[1]郑鹏,王任凡,岳爱文,李林,沈坤.高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器[J].光通信研究,2001(04):48-51.

ZHENG Peng 1, WANG Ren fan 2, YUE Ai wen 2, et al. High performance, low-threshold high-temperature uncooled 1.3 μm AlGaInAs/InP MQW laser diode[J]. 2001,(4):48-51.
[1]郑鹏,王任凡,岳爱文,李林,沈坤.高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器[J].光通信研究,2001(04):48-51. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2001.04.013.

ZHENG Peng 1, WANG Ren fan 2, YUE Ai wen 2, et al. High performance, low-threshold high-temperature uncooled 1.3 μm AlGaInAs/InP MQW laser diode[J]. 2001,(4):48-51. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2001.04.013.

摘要

讨论了影响激光器高温特性的主要因素

提出了在 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器中采用倒台脊波导（ RM- RWG）结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性

研制出了 RM- RWG结构的 1 .3μm高温无致冷 Al Ga In As应变量子阱激光器

其阈值电流为 6m A

特征温度达到 95 K（ 2 5℃～ 85℃ ）

这些结果为目前文献报道的最好水平

Abstract

In this paper

the high temperature properties of 1.3 μm laser diode are discussed. The reverse mesa RWG structure is introduced into 1.3 μm AlGaInAs/InP MQW LD and applied to fabricate the uncooled laser diode with high performance and improved temperature characteristics. The threshold current as low as 6 mA

and characteristics temperature as high as 95 K between 25 ℃ and 85 ℃ are obtained

which are the best results in the literatures until now.

关键词

半导体激光器AlGaInAsRM-RWG

Keywords

semiconductor laser diodeAlGaInAsRM-RWG

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