850nm氧化限制型VCSEL研究

岳爱文; 王任凡; 沈坤; 石兢

doi:10.13756/j.gtxyj.2004.02.011

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850nm氧化限制型VCSEL研究

- 850nm氧化限制型VCSEL研究
- Research on the 850 nm oxide-confined VCSEL
- 光通信研究 2004年第2期页码：36-38
- 作者机构：
  
  1.   武汉电信器件公司
  2.   武汉大学物理系湖北武汉　430074
  3.   湖北武汉　430072
  4.   湖北武汉　430074
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.2004.02.011
  中图分类号： TN242
- 纸质出版日期：2004，
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[1]岳爱文,王任凡,沈坤,石兢.850nm氧化限制型VCSEL研究[J].光通信研究,2004(02):36-38+58.

YUE Ai-wen~. Research on the 850 nm oxide-confined VCSEL[J]. 2004,(2):36-38.
[1]岳爱文,王任凡,沈坤,石兢.850nm氧化限制型VCSEL研究[J].光通信研究,2004(02):36-38+58. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2004.02.011.

YUE Ai-wen~. Research on the 850 nm oxide-confined VCSEL[J]. 2004,(2):36-38. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2004.02.011.

摘要

通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器（VCSEL）结构的研究

研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA

斜效率为0.58mW/mA

微分串联电阻为35Ω和25Ω

激光器具有良好的温度特性和可靠性

可应用于1.25Gbit/s数据通信.

Abstract

The 850 nm oxide confined VCSEL structure was studied and the high performance 850 nm oxide confined VCSEL were fabricated. The threshold currents of the 12 μm and 16 μm aperture are respectively 1.2 mA and 1.8 mA at 25 ℃. The slope efficiency is 0.58 mW/mA. The resistances are respectively 35 Ω and 25 Ω. The devices show good temperature characteristics and reliability. It can be used as the 1.25 Gbit/s data communication source.

关键词

垂直腔面发射激光器砷化镓分布布拉格反射器

Keywords

vertical cavity surface emitting lasers（VCSEL）GaAsdistributed Bragg reflector

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