四象限InGaAs APD探测器的研究

王致远; 李发明; 刘方楠

doi:10.13756/j.gtxyj.2007.06.001

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四象限InGaAs APD探测器的研究

- 四象限InGaAs APD探测器的研究
- Research on four-quadrant InGaAs APD photodetector
- 光通信研究 2007年第6期页码：43-46
- 作者机构：
  
  1. 重庆邮电大学光电工程学院
  2. 重庆邮电大学光电工程学院重庆400065
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13756/j.gtxyj.2007.06.001
  中图分类号： TN36
- 纸质出版日期：2007，
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[1]王致远,李发明,刘方楠.四象限InGaAs APD探测器的研究[J].光通信研究,2007(06):43-46.

Wang Zhiyuan, Li Faming, Liu Fangnan. Research on four-quadrant InGaAs APD photodetector[J]. 2007,(6):43-46.
[1]王致远,李发明,刘方楠.四象限InGaAs APD探测器的研究[J].光通信研究,2007(06):43-46. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2007.06.001.

Wang Zhiyuan, Li Faming, Liu Fangnan. Research on four-quadrant InGaAs APD photodetector[J]. 2007,(6):43-46. DOI： 10.13756/j.gtxyj.2007.06.001.

摘要

文章中设计的四象限InGaAs雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode

APD）的管芯结构采用正入光式平面型结构

而材料结构采用吸收区、倍增区渐变分离的APD结构

在对响应时间、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上

优化了器件结构参数。试验结果表明

其响应时间≤1.5 ns

响应度≥9.5 A/W

暗电流≤40 nA

可靠性设计时使PN结和倍增层均在器件表面以下

可有效抑制器件表面漏电流

提高器件的可靠性。

Abstract

The chip of the four-quadrant InGaAs APD in this paper is designed in a frontal incident planar structure and its material part is an SAGM APD.On the basis of systematical analysis and calculation of its important parameters

such as response time

dark current and responsivity

the optimized structural and the technological parameters are given.The test results show that its response time is ≤1.5 ns

responsivity ≥9.5 A/W and dark current ≤40 nA.As the PN junction and multiplication layer are set under the surface of the device in the reliability design

the surface leakage current can be effectively restrained and the reliability of the device improved.

关键词

InGaAs雪崩光电二极管吸收区倍增区渐变分离-雪崩光电二极管光谱响应范围响应度暗电流

Keywords

InGaAs APDSAGM-APDspectrum response rangeresponsivityDark current

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