最新刊期
      1981 年 第 卷 3 期
      • 刘梏
        1981(3): 1-20. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.001
        摘要：<正> 前言由于数字通信方式的固有特点和数字集成电路的发展,许多先进国家都将数字通信作为重点研究和利用的通信手段,并建立了国内的综合数字网（IDN）,正向综合业务数字网（ISDN）发展。综合数字网是用数字交换建立连接的通信网,用来传输一种业务（例如电话）的数字信号;而综合业务数字网则是用来建立多种业务（例如电话、数据等）连接的综合数字网。  
          
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      • 袁启华,张克立,王建何
        1981(3): 21-27. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.002
        摘要：本文阐述了光通信用石英系玻璃纤维产生损耗的原因、目前研究的现状,以及作为长波长光导纤维材料的局限性;叙述了长波长极低损耗光导材料的选择原则,分析了影响光导材料损耗的因素,从而指出某些元素的卤化物系列作为长波长光导材料的优越性;叙述了卤化铊系列化合物的性质、制备方法、热分析数据和纤维化性能的试验。试验表明它们具有制备长波长极低损耗光导材料的性能。  
          
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      • 姜思勤,艾时英
        1981(3): 28-43. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.003
        摘要：本文主要从四个方面较详细地介绍电外延技术:一、生长机理;二、生长过程的动力学理论,提出了对流和无对流模型,进而讨论了外延层的生长速度和厚度,並提出在电外延生长过程中的珀尔帖致冷和电子迁移作用的判断;三、生长技术;四、电外延技术和通常的液相外延技术的比较。  
          
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      • 李云陔,杨益秀,王玲,方国柱
        1981(3): 44-48. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.004
        摘要：<正> 光通信研究中,光纤含氢氧基量,对光的衰耗有着极为严重的影响。作为制作光纤的主要原料（四氯化硅）中存在的含氢化合物是氢氧基形成的重要原因之一。因此研究含氢化合物的测定方法,便成为光通信研究中的一个重要课题。文献虽对色谱法测定四氯化硅中含氢化合物的测定方法有过报导,但要求的条件很严,对仪器也有腐蚀问题,加之测定灵敏度也不理想,故有必要研究新的测定方法。  
          
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      • 张杰,章佩英
        1981(3): 49-54. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.005
        摘要：四氯化锗是MCVD法生产光导纤维的主要原料之一。由于原料的纯度与光纤的质量有直接关系,因此需要对其中的有害杂质铁、铜、锰、钴、铬、镍等进行分析测定。目前国内多采用原子发射光谱法进行检测。本实验以控温挥散除去大量的基体,再以盐酸驱赶残存的锗后,用石墨炉原子吸收光谱法测定痕量金属杂质。本法灵敏度高、准确、简便、快速。  
          
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        发布时间：
      • 朱家新
        1981(3): 55-63. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1981.03.006
        摘要：本文介绍了用于载波300路主群信号编码设备的比较电路。文章首先阐述了电路的主要指标及其方案的选择;然后对该电路的各主要指标作了必要的核算,从而确定了用ECL集成电路作求和放大,ECL型D触发器作比较判决的比较方案;最后提供了实测数据。该比较电路的传输延时小于12ns,灵敏度可做到1/5个量化级。测试结果表明,电气性能较佳,调测也较方便。  
          
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