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最新刊期
1982
年
第
卷
1
期
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封面故事
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长波长单模阶跃光纤维结构参数的设计
黄定国
1982(1): 1-10. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.001
摘要:<正> 长波长单模光纤与多模光纤维相比较,其优点:没有模间色散,在1.0~1.6μm长波长波段内可以控制波导色散与材料色散相抵消而得到零色散波长,所以传输带宽很宽,可以实现千兆毕/秒级码率的特大通信容量;在长波长波段内,单模光纤的衰耗可以做得很低,甚至达到0.2dB/km的极低衰耗,使通信距离大大延长。因此,单模光纤维作为将来的长中继距离(百公里量级)的特大通信容量的光传输线路的设想正在逐渐变为现实。
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阶跃单模光纤的最佳设计
周文俊
1982(1): 11-24. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.002
摘要:本文推导了单模光纤的完整色散公式。精确计算了阶跃单模光纤在不同参数下的总色散,並与国外有关测量结果进行了比较。特别研究了阶跃单模光纤在1.3μm和1.55μm两个低损耗窗口处的色散问题,为阶跃单模光纤的最佳设计提供了依据。整个计算工作是在DJS-8计算机上完成的。
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发布时间:
高纯四氯化硅的研制
石青
1982(1): 25-29. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.003
摘要:<正> 四氯化硅是制作石英光纤的主要原料,它的纯度直接影响光纤的损耗特性,造成光纤吸收损耗的有害杂质主要有铁、钴、镍、铜、锰、铬、钒、铂和氢氧根,国内外资料认为,光纤中有害过渡金属离子和氢氧根离子的总浓度要低于百万分之一,而个别的离子浓度要低于亿分之一。有害金属杂质的吸收波长及造成的损耗大小随价态、含量和它周围的玻璃状态而变化。上述各有害杂质的吸收峰值波长的分布区域,从紫外波段的0.2μm起,经过可见光波段,一
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发布时间:
半导体激光器的纵模设计述评
解金山
1982(1): 30-38. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.004
摘要:本文综述了具有Fabry-Perot共振腔的激光器的纵模设计问题。给出了相关的设计曲线。在选用良好外延片的同时,要尽可能提高端镜面的反射率,缩小腔长及条宽,这样,就可能得到稳定的单纵模振荡
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发布时间:
Ⅲ-Ⅴ族InGaAs和InGaAsP雪崩光电二极管综述
胡永林
1982(1): 39-50. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.005
摘要:IaGaAs和InGaAsP异质结雪崩光电二极管的性能受到隧道效应、微等离子体和杂质等的严重影响。采用光吸收区电倍增区分离的结构。以宽能隙的InP为电倍增区,窄能隙的IaGaAs或InGaAsP为光吸收区,P型扩散杂质低于临界值N
D
+
,以及雪崩区的适当厚度,就能减小或避免隧道效应产生。器件的微等离子体可以通过采用低位错或无位错的衬底,生长质量优良的外延层。扩散杂质均匀,选用平面保护环或倒台面型来减少或消除。从而得到高性能的雪崩光电器件。现在雪崩增益高于3000,暗电流为2pA(0.5V
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)、离化系数比为0.3~0.5左右的APA就是SAM(吸收区倍增区分离)扩镉的平面保护环结构。
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建议在光纤通信中采用能量数值孔径
邹林森
1982(1): 51-55. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1982.01.006
摘要:本文比较实际测量得到的三种数值孔径,得知能量数值孔径比较恰当地表征光纤波导接收光能本领的大小这一特性。认为在光纤通信中采用能量数值孔径较为适合。
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