最新刊期
      1986 年 第 卷 4 期
      • 郑庆镒
        1986(4): 1-10. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.001
        摘要：本文介绍一种适合140Mb/s数字光纤通信系统光发送机的实用化电路。在电路工作原理的论述中,着重对高速调制下激光器的电-光延时特性作了理论分析;对温控电路的精度进行了理论上的探讨。最后叙述了减少激光器在高速调制下的张驰振荡、自脉动及模式噪声的方法。  
          
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        发布时间：
      • 徐长根
        1986(4): 11-16. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.002
        摘要：本文重点介绍目前国外在数字光纤通信中利用频分复用方式传输辅助信号的几种方案。  
          
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        发布时间：
      • 孙振兴
        1986(4): 17-28. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.003
        摘要：本文对发光管的出纤功率、发光管与纤维的接续损耗及光纤之间的接续损耗进行了估算与实际测试,其结果表明两者相当接近,并由此绘出光路上各部分光功率损失分布,便于总体设计及维护检修。  
          
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      • 罗晋昭,李青英
        1986(4): 29-39. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.004
        摘要：本文介绍Z—80单板机通过软件和硬件的开发,应用于光纤带宽测量中。它是在原时域法测量的基础上,通过计算机实时数据采集和快速傅里叶变换,把时域函数转化为频域函数计算光纤带宽值的一种方法。本微机构成的测试系统具有快速、准确、可靠和操作简便的特点。  
          
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      • 詹买金
        1986(4): 40-49. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.005
        摘要：本文所介绍的PWM型开关电源的电路系采用他激式推挽输出变换器,该变换器应用TL494调宽集成块为主体的控制电路。本文对该电源各部份原理进行分析讨论,为设计提供了理论依据,并对主要部件进行计算,最后介绍实现的情况。  
          
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      • 王皎
        1986(4): 50-51. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.006
        摘要：<正> InP是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有独特的性质,在微波、光电器件、光集成等领域得到广泛应用。为了满足InP单晶的研究和生产的需要,我们参考国内外有关资料和经验,研制了结构简单、操作方便、安全可靠、能满足工艺要求的InP多晶高压合成炉。  
          
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      • 黄守华
        1986(4): 52. DOI: 10.13756/j.gtxyj.1986.04.007
        摘要：<正> 武汉院试验场最近成功地实现了四次群（140Mb/s）60.5 km无中继光通信系统实验,整个系统主要特性如下:光源采用武汉电信器件公司研制的InGaAsP/InP—DAL—DC—PBH—LD组件其工作波长为1.52μm,主/旁模抑制比为15dB,光谱半宽度为1（?）。光纤采用院光纤光缆室研制的单模光纤,为了研究对现有1.3μm系统扩容等,全部光纤均为供1.3μm系统使用的单模光纤,光纤总长60.5km,在1.55μm处的总  
          
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        发布时间：
      • 1986(4): 53-54.
          
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